Name: IMZA65R015M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R015M2HXKSA1-ND
Price: 134.075 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMZA65R015M2HXKSA1
DigiKeys varenummer	448-IMZA65R015M2HXKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMZA65R015M2HXKSA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Producentens standard leveringstid	24 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 103A (Tc) 341W (Tc) Hulmontering PG-TO247-4-8
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Emballage	Rør
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	103A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	15V, 20V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	13,2mOhm @ 64,2A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 13 mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	79 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2792 pF @ 400 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	341W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO247-4-8
Pakke/hus	TO-247-4
Grundlæggende varenummer	IMZA65R015