Name: IMZA120R022M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Price: 123.2 DKK
Availability: InStock

Nyt produkt

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMZA120R022M2HXKSA1
DigiKeys varenummer	448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMZA120R022M2HXKSA1
Beskrivelse	IMZA120R022M2HXKSA1
Producentens standard leveringstid	26 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Hulmontering PG-TO247-4-8
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballage	Rør
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	1200 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	15V, 18V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	29mOhm @ 32A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,1V @ 10,1 mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	71 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2330 pF @ 800 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	329W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO247-4-8
Pakke/hus	TO-247-4