Name: IMZA120R022M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Price: 136.625 DKK
Availability: InStock

Nyt produkt

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMZA120R022M2HXKSA1
DigiKeys varenummer	448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMZA120R022M2HXKSA1
Beskrivelse	IMZA120R022M2HXKSA1
Producentens standard leveringstid	69 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Hulmontering PG-TO247-4-8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMZA120R022M2HXKSA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Rds on (maks.) @ Id, Vgs 29mOhm @ 32A, 18V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,1V @ 10,1 mA
Serie CoolSiC™	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 71 nC @ 18 V
Emballage Rør	Vgs (maks.) +25V, -10V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 2330 pF @ 800 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 329W (Tc)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 1200 V	Monteringstype Hulmontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 80A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PG-TO247-4-8
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 15V, 18V	Pakke/hus TO-247-4