Name: IMYH200R050M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYH200R050M1HXKSA1-ND
Price: 198.525 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMYH200R050M1HXKSA1
DigiKeys varenummer	448-IMYH200R050M1HXKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMYH200R050M1HXKSA1
Beskrivelse	SIC DISCRETE
Producentens standard leveringstid	39 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 2000 V 48A (Tc) 348W (Tc) Hulmontering PG-TO247-4-U04
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMYH200R050M1HXKSA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Rds on (maks.) @ Id, Vgs 64mOhm @ 20A, 18V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,5V @ 12,1mA
Serie CoolSiC™	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 82 nC @ 18 V
Emballage Rør	Vgs (maks.) +20V, -7V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 348W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Monteringstype Hulmontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 2000 V	Leverandørs enhedspakning PG-TO247-4-U04
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 48A (Tc)	Pakke/hus TO-247-4
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 15V, 18V	Grundlæggende varenummer IMYH200