Name: IMW65R027M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Price: 102.6375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMW65R027M1HXKSA1
DigiKeys varenummer	448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMW65R027M1HXKSA1
Beskrivelse	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Producentens standard leveringstid	8 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 47A (Tc) 189W (Tc) Hulmontering PG-TO247-3-41
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMW65R027M1HXKSA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSIC™ M1
Emballage	Rør
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	47A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	18V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	34mOhm @ 38,3A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,7V @ 11mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	62 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -5V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2131 pF @ 400 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	189W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO247-3-41
Pakke/hus	TO-247-3
Grundlæggende varenummer	IMW65R027