Name: IMW120R350M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IMW120R350M1HXKSA1-ND
Price: 50.4 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMW120R350M1HXKSA1
DigiKeys varenummer	IMW120R350M1HXKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMW120R350M1HXKSA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Producentens standard leveringstid	39 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 4,7A (Tc) 60W (Tc) Hulmontering PG-TO247-3-41
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMW120R350M1HXKSA1 Modeller

Produktegenskaber

cms-filter-similar-products

cms-show-empty-attributes

Category Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,7V @ 1mA
Mfr Infineon Technologies	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 5.3 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (maks.) +23V, -7V
Emballage Rør	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 182 pF @ 800 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 60W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Monteringstype Hulmontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 1200 V	Leverandørs enhedspakning PG-TO247-3-41
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 4,7A (Tc)	Pakke/hus TO-247-3
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 15V, 18V	Grundlæggende varenummer IMW120
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 455mOhm @ 2A, 18V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 566

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Rør