Name: IMW120R020M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R020M1HXKSA1-ND
Price: 179.5 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMW120R020M1HXKSA1
DigiKeys varenummer	448-IMW120R020M1HXKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMW120R020M1HXKSA1
Beskrivelse	SIC DISCRETE
Producentens standard leveringstid	39 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 98A (Tc) 375W (Tc) Hulmontering PG-TO247-3
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMW120R020M1HXKSA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Rds on (maks.) @ Id, Vgs 26,9mOhm @ 41A, 18V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,2V @ 17,6mA
Serie CoolSiC™	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 109 nC @ 18 V
Emballage Rør	Vgs (maks.) +20V, -5V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 3460 pF @ 800 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 375W (Tc)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 1200 V	Monteringstype Hulmontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 98A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PG-TO247-3
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 15V, 18V	Pakke/hus TO-247-3