Name: IMW120R020M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R020M1HXKSA1-ND
Price: 160.3625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMW120R020M1HXKSA1
DigiKeys varenummer	448-IMW120R020M1HXKSA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMW120R020M1HXKSA1
Beskrivelse	SIC DISCRETE
Producentens standard leveringstid	26 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 98A (Tc) 375W (Tc) Hulmontering PG-TO247-3
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMW120R020M1HXKSA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballage	Rør
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	1200 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	98A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	15V, 18V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	26,9mOhm @ 41A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,2V @ 17,6mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	109 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	3460 pF @ 800 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	375W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO247-3
Pakke/hus	TO-247-3