Name: IMT65R075M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Price: 45.225 DKK
Availability: InStock

Nyt produkt

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMT65R075M2HXUMA1
DigiKeys varenummer	448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMT65R075M2HXUMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 650V 30A LHSOF-4
Producentens standard leveringstid	12 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 30A (Tc) 141W (Tc) Overflademontering PG-LHSOF-4-1
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Emballage	Rør
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	15V, 20V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	95mOhm @ 11,9A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 2,4mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	14.9 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	516 pF @ 400 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	141W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-LHSOF-4-1
Pakke/hus	4-PowerLSFN
Grundlæggende varenummer	IMT65R075