Name: IMBG120R350M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND
Price: 53.525 DKK
Availability: OutOfStock

N-kanal 1200 V 4,7A (Tc) 65W (Tc) Overflademontering PG-TO263-7-12

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMBG120R350M1HXTMA1
DigiKeys varenummer	448-IMBG120R350M1HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMBG120R350M1HXTMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IMBG120R350M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMBG120R350M1HXTMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Producentens standard leveringstid	54 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 4,7A (Tc) 65W (Tc) Overflademontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMBG120R350M1HXTMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,7V @ 1mA
Mfr Infineon Technologies	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 5.9 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (maks.) +18V, -15V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 196 pF @ 800 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 65W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 1200 V	Leverandørs enhedspakning PG-TO263-7-12
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 4,7A (Tc)	Pakke/hus TO-263-8, D2PAK (7 ledere + tab), TO-263CA
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 468mOhm @ 2A, 18V	Grundlæggende varenummer IMBG120