Name: IMBG120R181M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R181M2HXTMA1TR-ND
Price: 42.575 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMBG120R181M2HXTMA1
DigiKeys varenummer	448-IMBG120R181M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMBG120R181M2HXTMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IMBG120R181M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMBG120R181M2HXTMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 14.9A TO263
Producentens standard leveringstid	26 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 14,9A (Tc) 94W (Tc) Overflademontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	1200 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	14,9A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	15V, 18V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	181,4mOhm @ 3,9A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,1V @ 1,2 mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	9.7 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -10V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	350 pF @ 800 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	94W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO263-7-12
Pakke/hus	TO-263-8, D2PAK (7 ledere + tab), TO-263CA
Grundlæggende varenummer	IMBG120R181