IGT60R070D1ATMA4 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IGT60R070D1ATMA4 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended

Infineon Technologies

På lager: 605

Enhedspris : 5,35000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IGT60R070D1ATMA4
DigiKeys varenummer	448-IGT60R070D1ATMA4TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IGT60R070D1ATMA4CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IGT60R070D1ATMA4DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IGT60R070D1ATMA4
Beskrivelse	GANFET N-CH
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Overflademontering PG-HSOF-8-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	600 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	31A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	-
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (maks.) @ Id	1,6V @ 2,6mA
Vgs (maks.)	-10V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	380 pF @ 400 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	125W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-HSOF-8-3
Pakke/hus	8-PowerSFN