Name: IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND
Price: 56.8875 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IGLD65R080D2AUMA1
DigiKeys varenummer	448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IGLD65R080D2AUMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IGLD65R080D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IGLD65R080D2AUMA1
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Producentens standard leveringstid	27 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 18A (Tc) 68W (Tc) Overflademontering PG-LSON-8-2
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IGLD65R080D2AUMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,6V @ 1,8mA
Mfr Infineon Technologies	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 3.3 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (maks.) -10V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 240 pF @ 400 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 68W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi GaNFET (galliumnitrid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 650 V	Leverandørs enhedspakning PG-LSON-8-2
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 18A (Tc)	Pakke/hus 8-LDFN eksponeret overflade
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 5,5A