Name: IAUS200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 37.325 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IAUS200N08S5N023ATMA1
DigiKeys varenummer	IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) IAUS200N08S5N023ATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) IAUS200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IAUS200N08S5N023ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Producentens standard leveringstid	27 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Overflademontering PG-HSOG-8-1
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IAUS200N08S5N023ATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Serie OptiMOS™	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 7670 pF @ 40 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Effektspredning (maks.) 200W (Tc)
Varestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Klasse Automotive
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Kvalifikation AEC-Q101
Afladning til kildespænding (Vdss) 80 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 200A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PG-HSOG-8-1
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 6V, 10V	Pakke/hus 8-PowerSMD, mågevinge
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 2,3mOhm @ 100A, 10V	Grundlæggende varenummer IAUS200
Vgs(th) (maks.) @ Id 3,8V @ 130µA