FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

FF11MR12W1M1B11BOMA1
DigiKeys varenummer	FF11MR12W1M1B11BOMA1-ND
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	FF11MR12W1M1B11BOMA1
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	MOSFET'er – Arrays 1200V (1,2kV) 100A Chassismontering Modul
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er FET, MOSFET-arrays
Producenter	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Emballage	Bakke
Varestatus	Forældet
Teknologi	Siliciumcarbid (SiC)
Konfiguration	2 N-kanal (dobbelt)
FET-funktionalitet	-
Afladning til kildespænding (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	100A
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	11mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,55V @ 40mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	250nC @ 15V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	7950pF @ 800V
Effekt - Maks.	-
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Chassismontering
Pakke/hus	Modul
Leverandørs enhedspakning	Modul
Grundlæggende varenummer	FF11MR12