Name: BSZ180P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 7.3375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

BSZ180P03NS3EGATMA1
DigiKeys varenummer	BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) BSZ180P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	BSZ180P03NS3EGATMA1
Beskrivelse	MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Producentens standard leveringstid	52 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 30 V 9A (Ta), 39,5A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) Overflademontering PG-TSDSON-8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	BSZ180P03NS3EGATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	30 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	9A (Ta), 39,5A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	6V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,1V @ 48µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2220 pF @ 15 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	2,1W (Ta), 40W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TSDSON-8
Pakke/hus	8-PowerTDFN
Grundlæggende varenummer	BSZ180