Name: BSZ16DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 25.9625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

BSZ16DN25NS3GATMA1
DigiKeys varenummer	BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) BSZ16DN25NS3GATMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) BSZ16DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	BSZ16DN25NS3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Producentens standard leveringstid	61 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 250 V 10,9A (Tc) 62,5W (Tc) Overflademontering PG-TSDSON-8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	BSZ16DN25NS3GATMA1 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 32µA
Mfr Infineon Technologies	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 920 pF @ 100 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 62,5W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 250 V	Leverandørs enhedspakning PG-TSDSON-8
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 10,9A (Tc)	Pakke/hus 8-PowerTDFN
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 10V	Grundlæggende varenummer BSZ16DN25
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 165mOhm @ 5,5A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 9.855

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®