SPB04N60C3ATMA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

SPB04N60C3ATMA1 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Direkte

STMicroelectronics

På lager: 335

Enhedspris : 18,12000 kr.

Similar

onsemi

På lager: 2.075

Enhedspris : 10,32000 kr.

Similar

Vishay Siliconix

På lager: 450

Enhedspris : 34,44000 kr.

Similar

Rohm Semiconductor

På lager: 1.000

Enhedspris : 5,12672 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 1.024

Enhedspris : 29,99000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 4.839

Enhedspris : 13,93000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SPB04N60C3ATMA1
DigiKeys varenummer	SPB04N60C3ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	SPB04N60C3ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 4.5A TO263-3
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 4,5A (Tc) 50W (Tc) Overflademontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Emballage	Tape & Reel (TR)
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	4,5A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	950mOhm @ 2,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,9V @ 200µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	490 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	50W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO263-3-2
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	SPB04N