SiC-ensrettere

STMicroelectronics' Siliciumcarbid Schottky-diode switching gør det muligt for designere at nå et højere niveau af effektivitet og effekttæthed. Dækker aktuelle klassificeringer fra 2 A til 40 A, STs 650 V og 1200 V SiC-diode familier inkluderer industriel dedikerede såvel som bilkvalificerede AEC-Q101 enheder i overflademonteret DPAK HV (højspænding) og D²PAK eller hulmonteret TO-220AC og TO-247LL (lang bly) pakker.

STs serie af 1200 V siliciumcarbid (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) dioder imødekommer designernes behov for overlegen effektivitet, lav vægt, lille størrelse og forbedrede termiske egenskaber til præstationsorienterede applikationer.

Tilbyder fremragende forspænding (lav V_F) og avanceret robusthed. STs 1200 V SiC-dioder giver ekstra frihed til at opnå høj effektivitet og pålidelighed med en lavere strømklassificering og derfor lavere omkostninger, samtidig med at man reducerer driftstemperaturen og forlænger applikationens levetid. De sikrer en perfekt form i enhver switch-mode-konverter og inverter, hvor ekstrem effekttæthed og effektivitet er nødvendig, såsom SMPS, UPS, solar og motor drivere.

Dækker aktuelle klassificeringer fra 2 A til 40 A, STs 650 V og 1200 V SiC-diode familien inkluderer industriel dedikerede såvel som bilkvalificerede AEC-Q101 enheder i overflademonteret DPAK HV (højspænding) og D²PAK eller hulmonteret TO-220AC og TO-247LL (lang bly) pakker.

STs 1200 V SiC giver mulighed for at nå høje standarder og lille formfaktor.