Diskrete siliciumcarbid halvlederprodukter

Microchip Technologys siliciumcarbid halvledere (SiC) er en innovativ mulighed for designere af effekt-elektronik, der søger forbedret systemeffektivitet, mindre formfaktor og højere driftstemperatur i industrier såsom transport, automotive medicinal, luft og rumfart, samt forsvar og kommunikation. Næste generation af SiC MOSFET'er og SiC SBD'er er designet med højere repetitiv UIS (unclamped inductive switching) ved nominel on-modstand eller strøm. Disse SiC MOSFET'er har en høj UIS-kapacitet på ca. 10 J til 25 J pr. kvadratcentimeter (J/cm²) og en robust kortslutningsbeskyttelse. Microchips SiC Schottky-barrieredioder (SBD'er) er designet med balanceret overstrøm, diodespænding, termisk modstand og termisk kapacitet ved lav omvendt strøm for at opnå lavere koblingstab. Derudover kan SiC MOSFET og SiC SBD matricen matches til brug i moduler. SiC MOSFET- og SiC SBD-produkter fra Microchip vil blive kvalificeret i henhold til AEC-Q101 standarden.

Funktioner

• Ekstremt lave koblingstab forbedrer systemets effektivitet
• Høj effekttæthed for mindre fodaftryk for at reducere størrelse og vægt
• 3x mere varmeledende end silicium
• Reducerede krav til dræn for at opnå mindre størrelse og lavere vægt
• Drift ved høj temperatur forbedrer pålideligheden ved øget effekttæthed
• Bevist pålidelighed/robusthed, forsyningskæde og support med Microchip-kvalitet, forsyning og support

Applikationer

• Industriel: Motor-drev, svejsning, UPS, SMPS, induktionsvarme
• Transport/automotive: Batteriopladere til elektriske køretøjer, indbyggede opladere, drivlinjer til hybride elektriske køretøjer, DC/DC-konvertere, energi-gendannelse
• Intelligent energi: Solcelleanlæg (PV), vindmøller
• Medicinsk: MRI-strømforsyninger, røntgenstrømforsyninger
• Kommerciel luftfart: Betjening, klimaanlæg, strømfordeling
• Forsvar: Motordrev, hjælpestrømforsyninger og integrerede køretøjssystemer