NovuSem Enkelt FET’er, MOSFET’er

Resultater : 3
Lagermuligheder
Miljømuligheder
Medier
Ekskludér
3Resultater
Anvendte filtre Fjern alle

Viser
af 3
Mfr varenr.
Tilgængelig antal
Pris
Serie
Pakke
Produktstatus
FET-type
Teknologi
Afladning til kildespænding (Vdss)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) @ Id
Vgs (maks.)
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
Effektspredning (maks.)
Driftstemperatur
Monteringstype
Leverandørs enhedspakning
Pakke/hus
NC1M120C12WDCU
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V NiPdA
NovuSem
218
Markedsplads
218 : 422,68161 kr.
Bakke
Bakke
Aktiv
-
SiCFET (siliciumcarbid)
1200 V
214A (Tc)
20V
12mOhm @ 20A, 20V
3,5V @ 40 mA
+22V, -8V
8330 pF @ 1000 V
-
-
Overflademontering
Wafer
Chip
NC1M120C12WCNG
SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V
NovuSem
218
Markedsplads
218 : 309,55358 kr.
Bakke
Bakke
Aktiv
-
SiCFET (siliciumcarbid)
-
214A (Tc)
20V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
NC1M120C12HTNG
SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
NovuSem
0
Markedsplads
Aktiv
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1200 V
47A (Tc)
20V
75mOhm @ 20A, 20V
2,8V @ 5 mA
+20V, -5V
1450 pF @ 1000 V
288W (Ta)
-55°C – 175°C (TJ)
Hulmontering
TO-247-4L
TO-247-4
Viser
af 3

FET, MOSFET'er


Felt-effekttransistorer (FET’er) og metal-oxid-halvleder felt-effekttransistorer (MOSFET’er) er typer af transistorer, der bruges til at forstærke eller koble elektroniske signaler.

En enkelt FET fungerer ved at styre strømmen mellem source- og drain-terminalerne gennem et elektrisk felt, der genereres af en spænding på gate-terminalen. Den største fordel ved FET'er er deres høje indgangsimpedans, som gør dem ideelle til brug i signalforstærkning og analoge kredsløb. De bruges i vid udstrækning i applikationer som forstærkere, oscillatorer og buffertrin i elektroniske kredsløb.

MOSFET'er, en undertype af FET'er, har en gate-terminal, der er isoleret fra kanalen med et tyndt oxidlag, hvilket forbedrer deres ydeevne og gør dem meget effektive. MOSFET'er kan yderligere kategoriseres i to typer:

MOSFET'er foretrækkes i mange applikationer på grund af deres lave strømforbrug, hurtige kobling og evne til at håndtere store strømme og spændinger. De er afgørende i digitale og analoge kredsløb, herunder strømforsyninger, motordrivere og radiofrekvensapplikationer.

Driften af MOSFET'er kan opdeles i to tilstande:

  • Enhancement-mode: I denne tilstand er MOSFET'en normalt slukket, når gate-source-spændingen er nul. Den kræver en positiv gate-source-spænding (for n-kanal) eller en negativ gate-source-spænding (for p-kanal) for at tænde.
  • Depletion-mode: I denne tilstand er MOSFET'en normalt tændt, når gate-source-spændingen er nul. Ved at tilføre en gate-source-spænding med modsat polaritet kan den slukkes.

MOSFET'er har flere fordele, f.eks:

  1. Høj effektivitet: De bruger meget lidt strøm og kan skifte tilstand hurtigt, hvilket gør dem meget effektive til strømstyringsapplikationer.
  2. Lav tændingsmodstand: De har lav modstand, når de er tændt, hvilket minimerer strømtab og varmeudvikling.
  3. Høj indgangsimpedans: Den isolerede gate-struktur resulterer i ekstremt høj indgangsimpedans, hvilket gør dem ideelle til signalforstærkning med høj impedans.

Kort sagt er FET'er, især MOSFET'er, grundlæggende komponenter i moderne elektronik, kendt for deres effektivitet, hastighed og alsidighed i en lang række anvendelser fra signalforstærkning med lav effekt til kobling og kontrol med høj effekt.