Name: SUD50N04-8M8P-4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND
Price: 17.7375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SUD50N04-8M8P-4GE3
DigiKeys varenummer	SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SUD50N04-8M8P-4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SUD50N04-8M8P-4GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Producentens standard leveringstid	24 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 40 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc) Overflademontering TO-252AA
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SUD50N04-8M8P-4GE3 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	40 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	14A (Ta), 50A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	8,8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2400 pF @ 20 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	3,1W (Ta), 48,1W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	TO-252AA
Pakke/hus	TO-252-3, DPAK (2 ledere + tab), SC-63
Grundlæggende varenummer	SUD50