Name: SQS966ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS966ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 14.1875 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SQS966ENW-T1_GE3
DigiKeys varenummer	SQS966ENW-T1_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SQS966ENW-T1_GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SQS966ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SQS966ENW-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Producentens standard leveringstid	37 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	MOSFET'er – Arrays 60V 6A (Tc) 27,8W (Tc) Overflademontering, Fugtbar side PowerPAK® 1212-8W Dual
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er FET, MOSFET-arrays	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 8,8nC @ 10V
Producenter Vishay Siliconix	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 572pF @ 25V
Serie TrenchFET®	Effekt - Maks. 27,8W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Varestatus Aktiv	Klasse Automotive
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Kvalifikation AEC-Q101
Konfiguration 2 N-kanal (dobbelt)	Monteringstype Overflademontering, Fugtbar side
Afladning til kildespænding (Vdss) 60V	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8W Dual
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 6A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8W Dual
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 36mOhm @ 1,25A, 10V	Grundlæggende varenummer SQS966
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 5.651

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)

Producenters standard pakke

Enhedspris uden moms:	11,35000 kr.
Enhedspris med moms:	14,18750 kr.

SQS966ENW-T1_GE3