Name: SQJQ112ER-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112ER-T1_GE3TR-ND
Price: 40.7375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SQJQ112ER-T1_GE3
DigiKeys varenummer	742-SQJQ112ER-T1_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SQJQ112ER-T1_GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SQJQ112ER-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SQJQ112ER-T1_GE3
Beskrivelse	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Producentens standard leveringstid	37 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 8 x 8
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 272 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 15945 pF @ 25 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 600W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Klasse Automotive
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Kvalifikation AEC-Q101
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 296A (Tc)	Monteringstype Overflademontering
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 10V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 8 x 8
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 2,53mOhm @ 20A, 10V	Pakke/hus 8-PowerSMD, mågevinge