Name: SQJ858AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ858AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 14.975 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SQJ858AEP-T1_GE3
DigiKeys varenummer	SQJ858AEP-T1_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SQJ858AEP-T1_GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SQJ858AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SQJ858AEP-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Producentens standard leveringstid	20 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Overflademontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SQJ858AEP-T1_GE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Serie TrenchFET®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 2450 pF @ 20 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Effektspredning (maks.) 48W (Tc)
Varestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Klasse Automotive
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Kvalifikation AEC-Q101
Afladning til kildespænding (Vdss) 40 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 58A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® SO-8
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Pakke/hus PowerPAK® SO-8
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 6,3mOhm @ 14A, 10V	Grundlæggende varenummer SQJ858
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA