Name: SQD50N10-8M9L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N10-8M9L_GE3TR-ND
Price: 20.1625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SQD50N10-8M9L_GE3
DigiKeys varenummer	SQD50N10-8M9L_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SQD50N10-8M9L_GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SQD50N10-8M9L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SQD50N10-8M9L_GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Producentens standard leveringstid	27 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 50A (Tc) 136W (Tc) Overflademontering TO-252AA
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SQD50N10-8M9L_GE3 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	8,9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2950 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	136W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	TO-252AA
Pakke/hus	TO-252-3, DPAK (2 ledere + tab), SC-63
Grundlæggende varenummer	SQD50