Name: SQD50N06-09L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N06-09L_GE3TR-ND
Price: 49.5375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SQD50N06-09L_GE3
DigiKeys varenummer	SQD50N06-09L_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SQD50N06-09L_GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SQD50N06-09L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SQD50N06-09L_GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Producentens standard leveringstid	20 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Overflademontering TO-252AA
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SQD50N06-09L_GE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Serie TrenchFET®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 3065 pF @ 25 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Effektspredning (maks.) 136W (Tc)
Varestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Klasse Automotive
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Kvalifikation AEC-Q101
Afladning til kildespænding (Vdss) 60 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 50A (Tc)	Leverandørs enhedspakning TO-252AA
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Pakke/hus TO-252-3, DPAK (2 ledere + tab), SC-63
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 9mOhm @ 20A, 10V	Grundlæggende varenummer SQD50
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA