SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete halvlederprodukter

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIZ710DT-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SIZ710DT-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIZ710DT-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SIZ710DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIZ710DT-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	MOSFET'er – Arrays 20V 16A, 35A 27W, 48W Overflademontering 6-PowerPair™
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SIZ710DT-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er FET, MOSFET-arrays
Producenter	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Forældet
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (halvbro)
FET-funktionalitet	Logikniveau-gate
Afladning til kildespænding (Vdss)	20V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	16A, 35A
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	6,8mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	18nC @ 10V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	820pF @ 10V
Effekt - Maks.	27W, 48W
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Overflademontering
Pakke/hus	6-PowerPair™
Leverandørs enhedspakning	6-PowerPair™
Grundlæggende varenummer	SIZ710