Name: SISS80DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS80DN-T1-GE3TR-ND
Price: 21.8 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISS80DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	742-SISS80DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SISS80DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SISS80DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISS80DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Producentens standard leveringstid	19 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 20 V 58,3A (Ta), 210A (Tc) 5W (Ta), 65W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 122 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) +12V, -8V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 6450 pF @ 10 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 5W (Ta), 65W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 20 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8S
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 58,3A (Ta), 210A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8S
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 2,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SISS80
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 0,92mOhm @ 10A, 10V