Name: SISS73DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS73DN-T1-GE3TR-ND
Price: 17.4375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISS73DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SISS73DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SISS73DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SISS73DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISS73DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 150V 4.4A/16.2A PPAK
Producentens standard leveringstid	42 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 150 V 4,4A (Ta), 16,2A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SISS73DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 719 pF @ 75 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 150 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8S
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 4,4A (Ta), 16,2A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8S
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 10V	Grundlæggende varenummer SISS73
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 125mOhm @ 10A, 10V