Name: SISS52DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND
Price: 10.475 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISS52DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SISS52DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SISS52DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISS52DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Producentens standard leveringstid	27 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 47,1A (Ta), 162A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SISS52DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen V
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	30 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	47,1A (Ta), 162A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+16V, -12V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2950 pF @ 15 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	4,8W (Ta), 57W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PowerPAK® 1212-8SH
Pakke/hus	PowerPAK® 1212-8SH
Grundlæggende varenummer	SISS52