Name: SISS52DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND
Price: 14.425 DKK
Availability: OutOfStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISS52DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SISS52DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SISS52DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISS52DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Producentens standard leveringstid	55 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 47,1A (Ta), 162A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SISS52DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,2V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen V	Vgs (maks.) +16V, -12V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 2950 pF @ 15 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 4,8W (Ta), 57W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 30 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8SH
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 47,1A (Ta), 162A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8SH
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SISS52
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 1,2mOhm @ 20A, 10V