Name: SISS5110DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5110DN-T1-GE3TR-ND
Price: 18.625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISS5110DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	742-SISS5110DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SISS5110DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SISS5110DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISS5110DN-T1-GE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Producentens standard leveringstid	55 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 13,4A (Ta), 46,4A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±25V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 920 pF @ 50 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8S
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 13,4A (Ta), 46,4A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8S
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 7,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SISS5110
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 8,9mOhm @ 10A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 11.730

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)

Producenters standard pakke

Enhedspris uden moms:	14,90000 kr.
Enhedspris med moms:	18,62500 kr.

SISS5110DN-T1-GE3