Name: SISS10DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS10DN-T1-GE3TR-ND
Price: 14.7375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISS10DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SISS10DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SISS10DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SISS10DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISS10DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Producentens standard leveringstid	55 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 40 V 60A (Tc) 57W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,4V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) +20V, -16V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 3750 pF @ 20 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 57W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 40 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8S
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 60A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8S
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SISS10
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 2,65mOhm @ 15A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 4.032

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)

Producenters standard pakke

Enhedspris uden moms:	11,79000 kr.
Enhedspris med moms:	14,73750 kr.

SISS10DN-T1-GE3