Name: SISH536DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND
Price: 8.7125 DKK
Availability: OutOfStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISH536DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISH536DN-T1-GE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Producentens standard leveringstid	55 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Rds on (maks.) @ Id, Vgs 3,25mOhm @ 10A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,2V @ 250µA
Serie TrenchFET® Gen V	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +16V, -12V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 1150 pF @ 15 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Afladning til kildespænding (Vdss) 30 V	Monteringstype Overflademontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 24,7A (Ta), 67,4A (Tc)	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8SH
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8SH

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 0

Tjek leveringstid

Anmod om besked når varen er på lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)