Name: SISH536DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND
Price: 7.2625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISH536DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISH536DN-T1-GE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Producentens standard leveringstid	19 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen V
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	30 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	24,7A (Ta), 67,4A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	3,25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+16V, -12V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	1150 pF @ 15 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PowerPAK® 1212-8SH
Pakke/hus	PowerPAK® 1212-8SH

Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

På lager: 1.150

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)