Name: SISH410DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH410DN-T1-GE3TR-ND
Price: 13.625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISH410DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SISH410DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SISH410DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SISH410DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISH410DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
Producentens standard leveringstid	38 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 20 V 22A (Ta), 35A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SISH410DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 1600 pF @ 10 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 3,8W (Ta), 52W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 20 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8SH
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 22A (Ta), 35A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8SH
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SISH410
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 4,8mOhm @ 20A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 5.529

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)

Producenters standard pakke

Enhedspris uden moms:	10,90000 kr.
Enhedspris med moms:	13,62500 kr.

SISH410DN-T1-GE3