Name: SIS412DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS412DN-T1-GE3TR-ND
Price: 8.0875 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIS412DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SIS412DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIS412DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SIS412DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIS412DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Producentens standard leveringstid	17 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 12A (Tc) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SIS412DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 435 pF @ 15 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 30 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 12A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SIS412
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7,8A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 51.420

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)

Producenters standard pakke

Enhedspris uden moms:	6,47000 kr.
Enhedspris med moms:	8,08750 kr.

SIS412DN-T1-GE3