Name: SIR626DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR626DP-T1-RE3TR-ND
Price: 26.525 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIR626DP-T1-RE3
DigiKeys varenummer	SIR626DP-T1-RE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIR626DP-T1-RE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SIR626DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIR626DP-T1-RE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Producentens standard leveringstid	55 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Overflademontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SIR626DP-T1-RE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 3,4V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 78 nC @ 7.5 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 5130 pF @ 30 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 104W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 60 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® SO-8
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 100A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® SO-8
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 6V, 10V	Grundlæggende varenummer SIR626
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 1,7mOhm @ 20A, 10V