Name: SIR606BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR606BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 17.15 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIR606BDP-T1-RE3
DigiKeys varenummer	SIR606BDP-T1-RE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIR606BDP-T1-RE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SIR606BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIR606BDP-T1-RE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Producentens standard leveringstid	45 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 10,9A (Ta), 38,7A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) Overflademontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SIR606BDP-T1-RE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 1470 pF @ 50 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 5W (Ta), 62,5W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® SO-8
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 10,9A (Ta), 38,7A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® SO-8
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 7,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SIR606
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 17,4mOhm @ 10A, 10V