Name: SIR422DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR422DP-T1-GE3TR-ND
Price: 14.5875 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIR422DP-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SIR422DP-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIR422DP-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SIR422DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIR422DP-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Producentens standard leveringstid	38 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 40 V 40A (Tc) 5W (Ta), 34,7W (Tc) Overflademontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SIR422DP-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 48 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 1785 pF @ 20 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 5W (Ta), 34,7W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 40 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® SO-8
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 40A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® SO-8
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SIR422
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 6,6mOhm @ 20A, 10V