SIHG22N50D-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete halvlederprodukter

SIHG22N50D-GE3 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Direkte

Microchip Technology

På lager: 54

Enhedspris : 75,73000 kr.

Similar

IXYS

På lager: 0

Enhedspris : 131,01000 kr.

Similar

IXYS

På lager: 0

Enhedspris : 0,00000 kr.

Similar

IXYS

På lager: 683

Enhedspris : 144,19000 kr.

Similar

IXYS

På lager: 698

Enhedspris : 155,80000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIHG22N50D-GE3
DigiKeys varenummer	SIHG22N50D-GE3-ND
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIHG22N50D-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 500 V 22A (Tc) 312W (Tc) Hulmontering TO-247AC
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	-
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	500 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	22A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	230mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	1938 pF @ 100 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	312W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	TO-247AC
Pakke/hus	TO-247-3
Grundlæggende varenummer	SIHG22