N-kanal 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Overflademontering TO-263 (D2PAK)
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIHB21N65EF-GE3

DigiKeys varenummer
SIHB21N65EF-GE3-ND
Producenter
Vishay Siliconix
Producentens varenummer
SIHB21N65EF-GE3
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Producentens standard leveringstid
25 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
N-kanal 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Overflademontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Mfr
Vishay Siliconix
Serie
-
Emballage
Rør
Varestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2322 pF @ 100 V
FET-funktionalitet
-
Effektspredning (maks.)
208W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Klasse
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Overflademontering
Leverandørs enhedspakning
TO-263 (D2PAK)
Pakke/hus
TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer
SIHB21
Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

På lager: 92
Kontroller for yderligere indgående lager
Antal
Alle priser er i DKK
Rør
Antal Enhedspris Udv. pris
137,99000 kr.37,99 kr.
5020,04660 kr.1.002,33 kr.
10018,31090 kr.1.831,09 kr.
50015,27244 kr.7.636,22 kr.
1.00014,72213 kr.14.722,13 kr.
Producenters standard pakke
Bemærkning: På grund af DigiKeys værditilvæksttjenester kan emballagetypen ændre sig, når produktet købes i mængder under standardpakken.
Enhedspris uden moms:37,99000 kr.
Enhedspris med moms:47,48750 kr.