Name: SIDR5802EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND
Price: 32.4875 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIDR5802EP-T1-RE3
DigiKeys varenummer	742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIDR5802EP-T1-RE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Producentens standard leveringstid	55 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Overflademontering PowerPAK® SO-8DC
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SIDR5802EP-T1-RE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen V	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 3020 pF @ 40 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 80 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® SO-8DC
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 34,2A (Ta), 153A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® SO-8
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 7,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SIDR5802
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 2,9mOhm @ 20A, 10V