Name: SI8810EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8810EDB-T2-E1TR-ND
Price: 5.15 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI8810EDB-T2-E1
DigiKeys varenummer	SI8810EDB-T2-E1TR-ND - Tape & Reel (TR) SI8810EDB-T2-E1CT-ND - Afskåret tape (CT) SI8810EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI8810EDB-T2-E1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Producentens standard leveringstid	38 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 20 V 2,1A (Ta) 500mW (Ta) Overflademontering 4-Microfoot
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 900mV @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 8 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±8V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 245 pF @ 10 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 500mW (Ta)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 20 V	Leverandørs enhedspakning 4-Microfoot
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 2,1A (Ta)	Pakke/hus 4-XFBGA
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 1,5V, 4,5V	Grundlæggende varenummer SI8810
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 72mOhm @ 1A, 4,5V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 315

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)