Name: SI7129DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7129DN-T1-GE3TR-ND
Price: 12.8375 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI7129DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SI7129DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI7129DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SI7129DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI7129DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Producentens standard leveringstid	38 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 30 V 35A (Tc) 3,8W (Ta), 52,1W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SI7129DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,8V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 71 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 3345 pF @ 15 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 3,8W (Ta), 52,1W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -50°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 30 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 35A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SI7129
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 11,4mOhm @ 14,4A, 10V