Name: SI7119DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7119DN-T1-E3TR-ND
Price: 13 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI7119DN-T1-E3
DigiKeys varenummer	SI7119DN-T1-E3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI7119DN-T1-E3CT-ND - Afskåret tape (CT) SI7119DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI7119DN-T1-E3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Producentens standard leveringstid	63 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 200 V 3,8A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SI7119DN-T1-E3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 666 pF @ 50 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -50°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 200 V	Leverandørs enhedspakning PowerPAK® 1212-8
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 3,8A (Tc)	Pakke/hus PowerPAK® 1212-8
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 6V, 10V	Grundlæggende varenummer SI7119
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 1,05Ohm @ 1A, 10V