Name: SI4463CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4463CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 12.2875 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI4463CDY-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SI4463CDY-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI4463CDY-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SI4463CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI4463CDY-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Producentens standard leveringstid	38 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 20 V 13,6A (Ta), 49A (Tc) 2,7W (Ta), 5W (Tc) Overflademontering 8-SOIC
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 1,4V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 162 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±12V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 4250 pF @ 15 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 2,7W (Ta), 5W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 20 V	Leverandørs enhedspakning 8-SOIC
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 13,6A (Ta), 49A (Tc)	Pakke/hus 8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 2,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SI4463
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 5.045

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)

Producenters standard pakke

Enhedspris uden moms:	9,83000 kr.
Enhedspris med moms:	12,28750 kr.

SI4463CDY-T1-GE3