Name: SI4425FDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4425FDY-T1-GE3TR-ND
Price: 9.9125 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI4425FDY-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SI4425FDY-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI4425FDY-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SI4425FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI4425FDY-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Producentens standard leveringstid	55 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 30 V 12,7A (Ta), 18,3A (Tc) 2,3W (Ta), 4,8W (Tc) Overflademontering 8-SOIC
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,2V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) +16V, -20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 1620 pF @ 15 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 2,3W (Ta), 4,8W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 30 V	Leverandørs enhedspakning 8-SOIC
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 12,7A (Ta), 18,3A (Tc)	Pakke/hus 8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SI4425
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 9,5mOhm @ 10A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 6.290

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)