Name: SI4190ADY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4190ADY-T1-GE3TR-ND
Price: 21.95 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI4190ADY-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SI4190ADY-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI4190ADY-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SI4190ADY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI4190ADY-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Producentens standard leveringstid	42 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 18,4A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Overflademontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SI4190ADY-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,8V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 67 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 1970 pF @ 50 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 3W (Ta), 6W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Leverandørs enhedspakning 8-SOIC
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 18,4A (Tc)	Pakke/hus 8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SI4190
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 8,8mOhm @ 15A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 7.625

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)

Producenters standard pakke

Enhedspris uden moms:	17,56000 kr.
Enhedspris med moms:	21,95000 kr.

SI4190ADY-T1-GE3