Name: SI3410DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3410DV-T1-GE3TR-ND
Price: 10.3 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI3410DV-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SI3410DV-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI3410DV-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SI3410DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI3410DV-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Producentens standard leveringstid	38 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4,1W (Tc) Overflademontering 6-TSOP
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SI3410DV-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 1295 pF @ 15 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 2W (Ta), 4,1W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 30 V	Leverandørs enhedspakning 6-TSOP
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 8A (Tc)	Pakke/hus SOT-23-6 tynd, TSOT-23-6
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SI3410
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 19,5mOhm @ 5A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 7.098

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)