Name: SI2392BDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2392BDS-T1-GE3TR-ND
Price: 7.6125 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI2392BDS-T1-GE3
DigiKeys varenummer	742-SI2392BDS-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SI2392BDS-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SI2392BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI2392BDS-T1-GE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Producentens standard leveringstid	55 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 2A (Ta), 2,3A (Tc) 1,25W (Ta), 1,7W (Tc) Overflademontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 3V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 7.1 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 290 pF @ 50 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 1,25W (Ta), 1,7W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Leverandørs enhedspakning SOT-23-3 (TO-236)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 2A (Ta), 2,3A (Tc)	Pakke/hus TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SI2392
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 52mOhm @ 10A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 139

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)