Name: SI2367DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2367DS-T1-GE3TR-ND
Price: 5.625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI2367DS-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SI2367DS-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI2367DS-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SI2367DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI2367DS-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
Producentens standard leveringstid	17 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 20 V 3,8A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Overflademontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 1V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 23 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±8V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 561 pF @ 10 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 960mW (Ta), 1,7W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 20 V	Leverandørs enhedspakning SOT-23-3 (TO-236)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 3,8A (Tc)	Pakke/hus TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 1,8V, 4,5V	Grundlæggende varenummer SI2367
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 66mOhm @ 2,5A, 4,5V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 62.921

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)